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品类: MOS管描述: 单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3458620-49￥0.472550-99￥0.4375100-299￥0.4200300-499￥0.4060500-999￥0.39551000-4999￥0.38855000-9999￥0.3815≥10000￥0.3745 -
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品类: MOS管描述: INFINEON BSS84PH6327XTSA2 晶体管, MOSFET, P沟道, -170 mA, -60 V, 5.8 ohm, -10 V, -1.5 V746620-49￥0.229550-99￥0.2125100-299￥0.2040300-499￥0.1972500-999￥0.19211000-4999￥0.18875000-9999￥0.1853≥10000￥0.1819 -
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品类: MOS管描述: INFINEON BSP135H6327XTSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 600 V, 25 ohm, 10 V, -1.4 V23535-24￥5.008525-49￥4.637550-99￥4.3778100-499￥4.2665500-2499￥4.19232500-4999￥4.09965000-9999￥4.0625≥10000￥4.0068 -
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品类: MOS管描述: INFINEON BSS127H6327XTSA2 场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 0.021A, SOT-23-3453220-49￥0.418550-99￥0.3875100-299￥0.3720300-499￥0.3596500-999￥0.35031000-4999￥0.34415000-9999￥0.3379≥10000￥0.3317 -
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品类: MOS管描述: INFINEON BSC010N04LSATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.00085 ohm, 10 V, 2 V540710-99￥8.1240100-499￥7.7178500-999￥7.44701000-1999￥7.43352000-4999￥7.37935000-7499￥7.31167500-9999￥7.2574≥10000￥7.2304 -
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品类: MOS管描述: INFINEON BSC014N06NSATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 60 V, 0.0012 ohm, 10 V, 2.8 V509410-99￥11.3880100-499￥10.8186500-999￥10.43901000-1999￥10.42002000-4999￥10.34415000-7499￥10.24927500-9999￥10.1733≥10000￥10.1353 -
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品类: 双极性晶体管描述: BCR146 系列 NPN 50 V 70 mA 表面贴装 硅 数字 晶体管 - SOT-23-3135220-49￥0.270050-99￥0.2500100-299￥0.2400300-499￥0.2320500-999￥0.22601000-4999￥0.22205000-9999￥0.2180≥10000￥0.2140 -
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品类: 双极性晶体管描述: INFINEON BFR193E6327HTSA1 晶体管 双极-射频, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, 70 hFE550720-49￥0.661550-99￥0.6125100-299￥0.5880300-499￥0.5684500-999￥0.55371000-4999￥0.54395000-9999￥0.5341≥10000￥0.5243 -
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品类: 双极性晶体管描述: BCW68 系列 PNP 45 V 800 mA 表面贴装 硅 AF 晶体管 - SOT-23-3170720-49￥0.310550-99￥0.2875100-299￥0.2760300-499￥0.2668500-999￥0.25991000-4999￥0.25535000-9999￥0.2507≥10000￥0.2461 -
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品类: 双极性晶体管描述: Infineon BCR512E6327HTSA1 NPN 数字晶体管, 500 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23封装372810-49￥0.810050-99￥0.7680100-299￥0.7380300-499￥0.7200500-999￥0.70201000-2499￥0.68402500-4999￥0.6570≥5000￥0.6510 -
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品类: MOS管描述: INFINEON SPD30P06PGBTMA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -30 A, -60 V, 0.069 ohm, -10 V, -3 V390910-99￥6.9480100-499￥6.6006500-999￥6.36901000-1999￥6.35742000-4999￥6.31115000-7499￥6.25327500-9999￥6.2069≥10000￥6.1837 -
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品类: MOS管描述: HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，Infineon HEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。38865-24￥1.525525-49￥1.412550-99￥1.3334100-499￥1.2995500-2499￥1.27692500-4999￥1.24875000-9999￥1.2374≥10000￥1.2204 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IRGP50B60PD1PBF 单晶体管, IGBT, 75 A, 2.35 V, 390 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚40031-9￥256.438510-49￥249.748850-99￥244.6200100-199￥242.8361200-499￥241.4982500-999￥239.71431000-1999￥238.5993≥2000￥237.4844 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 高达 20A，Infineon 优化的 IGBT 设计用于中频应用，可快速响应，为用户提供最大效率。 这些设备利用 FRED 经优化的二极管，从而提供最佳的 IGBT 性能 ### IGBT 晶体管，International Rectifier International Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。18045-49￥15.947150-199￥15.2656200-499￥14.8840500-999￥14.78861000-2499￥14.69312500-4999￥14.58415000-7499￥14.5160≥7500￥14.4478 -
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品类: MOS管描述: 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 0.0033 ohm, 10 V, 4 V46585-49￥15.151550-199￥14.5040200-499￥14.1414500-999￥14.05081000-2499￥13.96012500-4999￥13.85655000-7499￥13.7918≥7500￥13.7270 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IPT007N06NATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 A, 60 V, 0.00066 ohm, 10 V, 2.8 V63645-49￥30.209450-199￥28.9184200-499￥28.1954500-999￥28.01471000-2499￥27.83402500-4999￥27.62745000-7499￥27.4983≥7500￥27.3692 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IPB180P04P4L-02 晶体管, MOSFET, P沟道, -180 A, -40 V, 0.0018 ohm, -10 V, -1.7 V58621-9￥77.671010-99￥74.2940100-249￥73.6861250-499￥73.2134500-999￥72.47041000-2499￥72.13272500-4999￥71.6599≥5000￥71.2547 -
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品类: MOS管描述: Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET **Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀；符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能13725-49￥16.274750-199￥15.5792200-499￥15.1897500-999￥15.09241000-2499￥14.99502500-4999￥14.88375000-7499￥14.8142≥7500￥14.7446 -
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IKW40N65H5FKSA1 单晶体管, IGBT, 40 A, 1.65 V, 255 W, 650 V, TO-247, 3 引脚63745-49￥27.179150-199￥26.0176200-499￥25.3672500-999￥25.20461000-2499￥25.04192500-4999￥24.85615000-7499￥24.7400≥7500￥24.6238 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT功率模块（半桥包括快速续流二极管封装用绝缘金属基板） IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)39141-9￥629.793010-49￥607.695050-99￥604.9328100-149￥602.1705150-249￥597.7509250-499￥593.8838500-999￥590.0166≥1000￥585.5970 -
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品类: MOS管描述: INFINEON BSS670S2L H6327 晶体管, MOSFET, N沟道, 540 mA, 55 V, 0.346 ohm, 10 V, 1.6 V398810-49￥0.756050-99￥0.7168100-299￥0.6888300-499￥0.6720500-999￥0.65521000-2499￥0.63842500-4999￥0.6132≥5000￥0.6076 -
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品类: 双极性晶体管描述: P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3984720-49￥0.594050-99￥0.5500100-299￥0.5280300-499￥0.5104500-999￥0.49721000-4999￥0.48845000-9999￥0.4796≥10000￥0.4708 -
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品类: MOS管描述: HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，Infineon HEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。83225-24￥5.049025-49￥4.675050-99￥4.4132100-499￥4.3010500-2499￥4.22622500-4999￥4.13275000-9999￥4.0953≥10000￥4.0392 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IRLTS2242TRPBF. 场效应管, MOSFET, P沟道, HEXFET, -20V, -6.9A, TSOP-6389810-49￥1.282550-99￥1.2160100-299￥1.1685300-499￥1.1400500-999￥1.11151000-2499￥1.08302500-4999￥1.0403≥5000￥1.0308 -
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品类: MOS管描述: 40V,1.4mΩ,380A,N沟道功率MOSFET86165-49￥11.746850-199￥11.2448200-499￥10.9637500-999￥10.89341000-2499￥10.82312500-4999￥10.74285000-7499￥10.6926≥7500￥10.6424 -
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品类: MOS管描述: HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。20435-24￥3.334525-49￥3.087550-99￥2.9146100-499￥2.8405500-2499￥2.79112500-4999￥2.72945000-9999￥2.7047≥10000￥2.6676 -
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品类: MOS管描述: P 通道功率 MOSFET 最大 7A，Infineon Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。908320-49￥0.567050-99￥0.5250100-299￥0.5040300-499￥0.4872500-999￥0.47461000-4999￥0.46625000-9999￥0.4578≥10000￥0.4494 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IRLML6401TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.3 A, -12 V, 0.05 ohm, -4.5 V, -550 mV543220-49￥0.405050-99￥0.3750100-299￥0.3600300-499￥0.3480500-999￥0.33901000-4999￥0.33305000-9999￥0.3270≥10000￥0.3210 -
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品类: MOS管描述: P沟道 -20 V 540 mW 2.4 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3676020-49￥0.432050-99￥0.4000100-299￥0.3840300-499￥0.3712500-999￥0.36161000-4999￥0.35525000-9999￥0.3488≥10000￥0.3424 -
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品类: MOS管描述: INFINEON IRLML2502TRPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 4.2A, SOT-23-3, 整卷542220-49￥0.405050-99￥0.3750100-299￥0.3600300-499￥0.3480500-999￥0.33901000-4999￥0.33305000-9999￥0.3270≥10000￥0.3210
